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硅片

单晶硅片 125x125mm



单晶硅片技术参数

晶体类型

单晶

生长方式

CZ

导电类型

P型

掺杂剂

晶向

<100>±1°

电阻率

1-3Ω.cm

少子寿命

≥ 10μs

氧含量

≤1.0×1018 atoms/cm3

碳含量

≤ 5×1016 atoms/cm3

硅片边长

125×125±0.5mm

硅片直径

150±0.5mm;165±0.5mm

厚度

200±20μm

总厚度差异

≤30μm

线痕

≤20μm

翘曲度

≤35μm

裂缝

崩边

表面质量

清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞


多晶硅片 156x156mm



多晶硅片技术参数

晶体类型

多晶

导电类型

P型

掺杂剂

电阻率

1-3Ω.cm

少子寿命

≥ 2μs

氧含量

≤1.0×1018 atoms/cm3

碳含量

≤ 5×1017 atoms/cm3

硅片边长

156x156±0.5mm

硅片直径

219±0.5mm

厚度

200±20μm

总厚度差异

≤30μm

线痕

≤20μm

翘曲度

≤20μm

裂缝

崩边

表面质量

清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞

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